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办上办错所有实验在室温下进行。门办图33DGFET在紫外光和可见光区域的光电特性。

预约(c) 3DGFET的响应度随栅压变化。【小结】本文利用自卷曲方法制造了一种微管式三维石墨烯场效应管，时办市中生集可用作光电传感器，时办市中生集实现对紫外光、可见光、中红外光、太赫兹波的超高灵敏度、超快探测。今日(d,e) 自卷曲圈数为5圈的3DGFET在波长分别为10.6 μm和96μm（3.11THz）入射光下的光电流随光功率变化。

起全(d) 3DGFET的响应度随源漏电压变化。小学(c) 具有不同自卷曲圈数的3DGFET在2.52THz光下的光电流随入射光功率变化。

这种3DGFET可用作光电传感器，中办工作波长范围从紫外光（325nm）区域一直延伸至太赫兹（119μm）区域，为已经报道的基于石墨烯材料的光电传感器带宽之最

理身(d,e) 自卷曲圈数为5圈的3DGFET在波长分别为10.6 μm和96μm（3.11THz）入射光下的光电流随光功率变化。份证相关阅读：行走的超级大平板。

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